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HIVE INF
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RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF372R3 MRF372R5
TYPICAL TWO--TONE NARROWBAND CHARACTERISTICS
Figure 4. COFDM Performance (860 MHz)
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 5. 8--VSB Performance (860 MHz)
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 6. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 7. Intermodulation Distortion versus
Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 8. Drain Efficiency versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
0
5
10
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35
-- 5 0
10 100
-- 4 5
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-- 1 5
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10 100
VDD
=32Vdc
IDQ
= 800 mA
f1 = 857 MHz
f2 = 863 MHz
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
800 mA
IDQ
= 400 mA
1.2 A
VDD
=32Vdc
f1 = 857 MHz
f2 = 863 MHz
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
1.6 A
800 mA
1.2 A
VDD
=32Vdc
f1 = 857 MHz
f2 = 863 MHz
IDQ
= 1600 mA
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IMR, INTERMODULATION RATIO (dB)
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IMR
Gps
η
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IMR, INTERMODULATION RATIO (dB)
IMR
Gps
η
VDD
=32Vdc
IDQ
= 1600 mA
6 dB Peak/Avg. Ratio
400 mA
VDD
=32Vdc
IDQ
= 1600 mA
2 K Mode 64 QAM
10 dB Peak/Avg. Ratio
Note: IMR measured using Delta Marker Method.
Note: IMR measured using Delta Marker Method.
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